Bücher Wenner
Volker Kutscher liest aus "RATH"
18.11.2024 um 19:30 Uhr
Electron Spectrum of Gapless Semiconductors
von J. Tsidilkovski
Verlag: Springer Berlin Heidelberg
Reihe: Springer Series in Solid-State Sciences Nr. 116
Hardcover
ISBN: 978-3-642-64391-0
Auflage: Softcover reprint of the original 1st ed. 1997
Erschienen am 18.09.2011
Sprache: Englisch
Format: 235 mm [H] x 155 mm [B] x 15 mm [T]
Gewicht: 411 Gramm
Umfang: 268 Seiten

Preis: 106,99 €
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Klappentext
Inhaltsverzeichnis

Electron Spectrum of Gapless Semiconductors presents the peculiarities of physical properties of a comparatively new class of solids - gapless semiconductors (GS). These peculiarities are determined by the main feature of the elctron spectrum, namely the absence of a gap between the conduction and valence bands. GSs form a boundary between metals and semiconductors. On the other hand GSs are of practical interest since they are very sensitive to impurities, and to the influence of light, magnetic and electric fields, and pressure.



1. Introduction.- 2. Band-Structure Calculation Methods.- 2.1 Adiabatic Approximation.- 2.2 The One-Electron Hartree-Fock Approximation.- 2.3 Correlation Phenomena.- 2.4 Methods Used to Solve the Schrödinger Equation.- 3. Insulators, Semiconductors, Metals.- 3.1 The Detection of the Gapless State.- 3.2 Gray Tin.- 3.3 Mercury Chalcogenides HgTe and HgSe.- 4. Impurities.- 4.1 The Problem of Residual Electron Concentration.- 4.2 Impurities and Intrinsic Defects in Mercury Chalcogenides..- 4.3 Energies of Impurity States.- 4.4 Metal-Insulator Transitions.- 4.5 The Mott Transition in n-Type Crystals.- 4.6 The Influence of Compensation on the Mott Transition.- 4.7 An "Anomaly" in the Temperature Dependence of the Electron Concentration.- 4.8 Freeze-Out of Electrons onto Acceptors in a Magnetic Field.- 4.9 Freeze-Out of Electrons onto Acceptors Subject to Hydrostatic Pressure.- 4.10 On the Mobility of Holes in Gapless HgCdTe Crystals.- 5. Semimagnetic Semiconductors.- 5.1 HgMnTe Crystals.- 5.2 HgSe:Fe Crystals.- 5.4 DX Centers.- 5.5 The Improved Short-Range Correlation Model.- 6. Conclusion.- 6.1 Practical Applications of Gapless Semiconductors.- 6.2 Some Results and Problems.- References.


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