Bücher Wenner
Michael Grüttner im Gespräch über "TALAR UND HAKENKREUZ"
09.10.2024 um 19:30 Uhr
Fundamentals of Power Semiconductor Devices
von B. Jayant Baliga
Verlag: Springer US
Hardcover
ISBN: 978-1-4899-7765-6
Auflage: Softcover reprint of the original 1st ed. 2008
Erschienen am 23.08.2016
Sprache: Englisch
Format: 235 mm [H] x 155 mm [B] x 59 mm [T]
Gewicht: 1621 Gramm
Umfang: 1096 Seiten

Preis: 169,98 €
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Inhaltsverzeichnis
Klappentext

Introduction.- Material properties and transport physics.- Breakdown voltage.- Schottky rectifiers.- P-i-N rectifiers.- Power MOSFETs.- Bipolar junction transistors.- Thyristors.- Insulated gate bipolar transistors.- Synopsis.



Fundamentals of Power Semiconductor Devices provides an in-depth treatment of the physics of operation of power semiconductor devices that are commonly used by the power electronics industry. Analytical models for explaining the operation of all power semiconductor devices are shown. The treatment focuses on silicon devices and includes the unique attributes and design requirements for emerging silicon carbide devices.